Teljesítményerősítés nem lineáris üzemmódban és magas frekvenciákon MOS tranzisztorral

S. Latreche 1, G. Tardivo 2, M. Belabadia 1 és P. Rossel 1

üzemmódban

1 A Nemzeti Tudományos Kutatóközpont Automatizálási és Rendszerelemzési Laboratóriuma, 7, avenue du Colonel-Roche, 31077 Toulouse Cedex, Franciaország
2 Thomson Semiconductors, Centre de Tours, rue Pierre-et-Marie-Curie, 37001 Tours Cedex, Franciaország

Absztrakt
Javasolják az V.MOS tranzisztor matematikai modelljét, figyelembe véve a rövid csatornahatásokat és a tranzisztorban lévő nem-linearitásokat. Lehetővé teszi az V.MOS vizsgálatát egyenáramú és kis jelviszonyok mellett. Sőt, nagy jelszimulációkhoz használható, és ez az alapja a C.A.D. teljesítményű rádiófrekvenciás erősítők (V.H.F. sáv) teljesítményű MOS tranzisztorokkal.

összefoglaló
Javasoljuk a V.MOS tranzisztor matematikai modelljét, figyelembe véve a rövid csatornahatásokat és a komponens nem-linearitásait. Használható i) folyamatos üzemmódban, ii) szinuszos dinamikus kis jelben, iü), és lehetővé teszi a nagy jel váltakozó rezsim szimulációját is. Alapul szolgál egy eredeti módszertanhoz, amely lehetővé teszi az R.F. erősítők (V.H.F. sáv) tervezését és számítógépes szimulációját MOS tranzisztorokkal.