Mágneses tér és felület hatásai a félvezetők kettős befecskendezési jelenségeire II

Félvezető-alkatrészek fizikájának laboratóriuma, Grenoble Nemzeti Műszaki Intézet, a C.N.R.S.-hez kapcsolódó kutatócsoport, n ° 659, E.N.S.E.R., Grenoble

I. rész látom a fiz. statisztika. talaj. a) 64, 683 (1981).

23, Avenue des Martyrs, 38031 Grenoble Cédex, Franciaország.

Absztrakt

A magnetodiode-effektus akkor jelentkezik, amikor a vivő Lorentzi-elhajlás ráhelyeződik a kettős injektálási jelenségekre. A hordozó hosszanti diffúziója által dominált rezsimeket egy általános kétdimenziós elmélettel elemezzük, az injektálási sebesség és a mágneses mezők széles skálájára. Megállapítást nyert, hogy a p + nn + és a p + n magnetodiódák működése hasonló. Alacsony indukciók esetén az áram - feszültség jellemzői nagymértékben függenek a felület minőségétől és az indukció irányától, míg nagy indukciók esetén a magnetodiode hatást viszonylag elfedi a magnetoresistance. Ebben a részben a Ge és az integrált SOS magnetodiódák kísérleti eredményeiről is beszámolunk, amelyekről kiderül, hogy nagyon jó egyezésben vannak a javasolt elmélettel. A mért érzékenység (300 VT -1 vagy 30 AT -1 Ge-ben és 10 VT -1 vagy 0,15 AT -1 SOS-ban) nagymértékben meghaladja a hagyományos félvezető érzékelők érzékenységét, és széles alkalmazási területet tesz lehetővé.