Az új MRAM memóriaosztály nem felejtő DRAM-ként viselkedik

Oldal: 2/2

Nagy RAM teljesítmény és garantált nem volatilitás

Az MRAM valódi adattároló osztályú memóriának (SCM) számít, az adathordozók nem volatilitása és a RAM nagy teljesítménye mellett. További technológiák fejlesztése folyamatban van, pl. Rezisztív RAM (ReRAM), fázisváltó memória (PCM), vezetőképes híd RAM (CB-RAM) és 3D XPoint. Bár ezek a technológiák nagyobb írási sebességgel és újraírhatósággal rendelkeznek, mint a NAND, egyikük sem írható olyan gyorsan, mint az ST-MRAM (lásd a 3. ábrát). Csak az ST-MRAM használható nem felejtő memóriaként közvetlenül a memóriacsatornában.

viselkedik

Ezenkívül a NAND tízmilliószoros átírhatóságával az ST-MRAM puffermemóriaként, gyorsítótárként vagy munkamemóriaként használható a szuperkondenzátorokkal ellátott DRAM helyett, az egyszerűbb rendszertervezés és a helytakarékosság érdekében. A 4. ábra bemutatja az ST-MRAM előnyeit a többi technológiával szemben: Az Everspin Spin-Torque-MRAM termékeinek DDR3 és DDR4-DRAM interfészei vannak, kis eltérésekkel az időzítésben, a késésben és az oldalméretben

  • Legfeljebb 2133 MT/s/tű.
  • BGA ház, csatlakozással kompatibilis a JEDEC-DRAM-mal. Az 5. ábra a 256 Mbit-es DDR3 ST-MRAM 78 tűs BGA házát mutatja.
  • Frissítésre nincs szükség.
  • Nagy átírhatóság. Tehát nincs szükség kopásszintezésre vagy túlzott ellátásra.

A nem felejtő tárolásnak köszönhetően el lehet tekinteni az akkumulátorokról vagy a szuperkondenzátorokról, amelyeket gyakran használnak a DRAM-alapú rendszerek áramellátásának fenntartására és elegendő időtartalék létrehozására az adatok helyreállításához.

Az adatok sértetlenségének biztosítása érdekében a kikapcsolás kezelése különösen fontos az SSD-vel a vállalati használat során. Az ST-MRAM író memóriaként történő használata áramkimaradás esetén jelentősen csökkenti a nem védett adatok mennyiségét. Az SSD-vel az energiaellátás fenntartásához szükséges energia szuperkondenzátorokból vagy akkumulátorokból származik, amelyek sok helyet foglalnak el az áramköri lapon. A heterogén architektúra, amely DRAM-ból és MRAM-ból áll, biztosítja a tárolt energia iránti igény jelentős csökkenését. Így helyet teremt és csökkenti a jobb gyárthatósággal és nagyobb megbízhatósággal rendelkező alkatrészek számát. Ennek eredményeként kevesebb térkérdés és kisebb formai tényező van. Az 5. ábra az SSD megvalósításának blokkvázlatát mutatja.

Az SSD-ben a vállalatoknál használt feszültség fenntartásának kapacitása kb. 15 mF-ról 1 μF alá csökkenhet. Így nincs szükség szuperkondenzátorokra. Az SSD-vel, amelynek méretét már a rendelkezésre álló hely korlátozza, pl. U.2 vagy M.2, jelentősen több adatot lehet megvédeni az áramkimaradás esetén bekövetkező veszteségektől. A nagyobb írási puffer lehetővé teszi az írási erősítés csökkentését is, ha több nem mentett adatot pufferolunk, mielőtt az a flash tömbbe kerülne, ami növeli az SSD élettartamát.

Nagy írási sebesség és átírhatóság

Az MRAM termékek rendkívül megbízható, nagy teljesítményű tárolóként bizonyultak a kritikus rendszeradatok rögzítéséhez és védelméhez. Az MRAM technológia fejlődése lehetővé tette a memóriát, amely úgy viselkedik, mint a nem felejtő DRAM. Az ST-MRAM-ot a vállalatok tárolási rendszereiben írási pufferként vagy gyorsítótárként használják, kezdetben SSD-ként. Mivel nincs szükség nagy szuperkondenzátorokra vagy akkumulátorokra, az ST-MRAM jelentős előnyöket kínál a csúcskategóriás SSD gyártók számára.

Ezek az előnyök még hangsúlyosabbá válnak, mivel a nagy sebességű, kis formátumú SSD-k, például az M.2 és az U.2 egyre népszerűbbek. A növekvő bitsűrűség mellett ugyanazt a technológiát fogják használni a RAID rendszerekben és a tárolókiszolgálókon is, mint a valódi tárolási osztályú tárolókat (SCM). A fejlesztés alatt álló más nem felejtő memória technológiák nem kínálják a nagy futtatási sebességet és az újraírhatóságot, amelyek a nem felejtő DRAM-ok használatához szükségesek. Ez az ST-MRAM-nak egyedülálló pozíciót biztosít ezen a területen.

Antiferromágneses magnetoelektromos memória

* Joe O'Hare az Everspin Technologies termékmarketing-igazgatója.

* Ben Cooke az Everspin Technologies alkalmazásmenedzsere.

* Sarin Deshpande az Everspin Technologies programprojekt menedzsere.